高层定调！电动车皇冠上的明珠迎来重大利好 多家公司已抢先布局

《科创板日报》（上海，研究员 米娅）讯，近日，中国电动汽车百人会第六届年度论坛在北京召开。全国政协副主席、中国科学技术协会主席万钢在论坛上强调，面向未来，要加快新一代的驱动控制技术升级，特别是高密度的IGBT和碳化硅器件方面是今后升级发展的方向。

此前，工信部也在回复政协提案中表示，将持续推进工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展，根据产业发展形势，调整完善政策实施细则，更好的支持产业发展。

IGBT被誉为电动车皇冠上的明珠

IGBT是能源变换与传输的核心器件，全称为绝缘栅型双极型晶体管，主要作用是进行交流电和直流电的转换、电压高低的转换，其作用类似于电脑的CPU。电动汽车上IGBT主要应用于电池管理系统、电动控制系统、空调控制系统和充电系统。对于混合动力汽车，与低压系统相独立的高压系统也需要用到IGBT。

新能源汽车电控系统价值量仅次于电池。纯电动新能源汽车成本结构中，动力电池以42%的占比位居第一，紧随其后的是电控系统，占比达11%。在电控系统成本中，IGBT占比高达 41%，是电控系统中最重要的构成器件。

IGBT制造难度大，具有极高的技术壁垒。中国功率半导体市场约占世界市场份额50%，但是中高端的MOSFET（绝缘栅型场效应管）及IGBT主流器件市场基本被欧美、日本企业垄断。我国IGBT产品对外依赖度达到90%。国外IGBT主要制造商包括英飞凌、ABB、三菱、西门子、东芝和富士，丰田汽车是目前全球唯一能够自产IGBT的整车厂。

SiC是实现新能源车最佳性能的理想选择

碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，也是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料。作为制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一，SiC成为实现新能源汽车最佳性能的理想选择。目前SiC器件在新能源汽车上的应用主要是功率控制单元、逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等。

相比于IGBT，SiC是更为先进的做控制器的电力电子芯片。虽然成本是IGBT的8-10倍，但SiC可以大幅度提高电机转速从而提升电机比功率，在做到高频率和高效率的同时，体积还非常小，约比IGBT小70-80%。此外，SiC还具有高频率但损耗低的优势，从而将新能源车效率再提高10%左右。丰田曾经公开表示，SiC具有与汽油发动机同等的重要性。

在国内市场，中高端IGBT产能严重不足，SiC方面虽多有布局，但大部分处于早期研发阶段，行业体量较小。为改变高密度IGBT和碳化硅器件长期受制于人的困境，已有一些A股公司进行了布局：

台基股份：已具备IGBT业务基础，5年前完成了IGBT模块研发，具备量产能力。去年8月的定增项目则包括了IGBT模块封测线（兼容SiC等第三代宽禁带半导体功率器件），并提前卡位布局以以SiC和GaN为代表的第三代宽禁带半导体。

士兰微：去年上半年8寸产线芯片产销量同比增长74.25%，并已建成BCD工艺平台。与集成电路大基金已启动 8寸产线二期的建设，总投资15亿元，周期5年，建成后公司8英寸产能将增长超过一倍达到年产73万片。另外12英寸生产线也已在厦门开启投资。

露笑科技：公司去年11月与中科钢研、国宏中宇签署碳化硅项目战略合作协议，将为国宏中宇主导的碳化硅产业化项目定制约200台碳化硅长晶炉，设备总采购金额约3亿元。去年8月公司全资子公司露笑蓝宝石与国宏中宇签订总金额 1.26亿元的《碳化硅长晶成套设备定制合同》。